东芝等大厂陆续宣布扩增产能，2019年NAND Flash市场恐供过于求

      东芝与西数在2017年经历长时间的法律诉讼及合资争议后，已于2017年12月13日达成和解，双方延展合资关系至2029年，并确保西数在Fab6中能够参与投资，延续在96层以后3D-NANDFlash的竞争门票。东芝随即在12月21日宣布Fab7兴建计划，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，随着东芝、三星、英特尔、长江存储等都将扩增NANDFlash产能，对NANDFlash产业的影响将在2019年转趋明显，并使得整体产业可望呈现供过于求状况。

  DRAMeXchange指出，东芝Fab7有别于以往厂房集中于四日市，厂址改设在岩手县北上市，该厂投入量产的时程将落在2019年下半年后，主要投产96层以上的3D-NANDFlash，对整体产出真正产生影响的时间点将落在2020年。

  综观2018到2020年NANDFlash扩产趋势，DRAMeXchange指出，各个阵营皆可说是磨刀霍霍，除东芝刚宣布新建的Fab7以及已兴建中的Fab6以外，备受各界关注的长江存储位于武汉未来城的生产基地也预计于2018年下半年开始营运，初期投产32层的3D-NANDFlash产品，并致力64层产品的开发，以拉近与其他供货商之间的差距。

  除了长江存储以外，其他大厂的投资也不惶多让，包括英特尔扩建大连厂二期，为应对旺盛的ServerSSD需求，目标在2018年底增加一倍的3D-NANDFlash产能。此外，三星也将扩建西安厂二期，持续放大在中国生产3D-NANDFlash的能量。SK海力士则将在韩国清州厂区另外兴建一座新厂M15，同样以投产96层以上3D-NANDFlash为目标，预计2019年可正式进入营运。

  DRAMeXchange分析指出，基于各家供货商皆在3D-NANDFlash具体新增产能，在2019年以后3D-NANDFlash市场预期会再度进入供过于求格局，而2D-NANDFlash则因供货商陆续转产，仅维持较低比重继续生产并着重于工规需求，因此2D-NANDFlash市场走势将与3D-NANDFlash脱钩，逐渐转变为利基市场。

转自：中国半导体行业协会

专家点评：

        根据新闻， 东芝、三星、英特尔、长江存储等都将扩增NANDFlash产能，有很多已经在和各地洽谈建厂。有发展电子计算机及周边产业的园区可以面对这类企业进行招商。